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GermanyGT30J341,Q
元器件型号详细信息
原厂型号
GT30J341,Q
摘要
IGBT TRANS 600V 30A TO3PN
详情
IGBT 600 V 59 A 230 W 通孔 TO-3P（N）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
托盘
产品状态
在售
电压 - 集射极击穿（最大值）
600 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
59 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，30A
功率 - 最大值
230 W
开关能量
800µJ（开），600µJ（关）
输入类型
标准
25°C 时 Td（开/关）值
80ns/280ns
测试条件
300V，30A，24 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
50 ns
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3，SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P（N）
基本产品编号
GT30J341
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Toshiba Semiconductor and Storage GT30J341,Q
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规格书
1(GT30J341)
EDA 模型
1(GT30J341,Q by Ultra Librarian)
价格
数量: 4900
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替代型号
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