STP26N60DM6

元器件型号详细信息

原厂型号

STP26N60DM6

摘要

MOSFET N-CH 600V 18A TO220

详情

通孔 N 通道 600 V 18A（Tc） 130W（Tc） TO-220

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

350

供应商库存

>>>点击查询实时库存<<<

技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ DM6

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

18A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

195 毫欧 @ 9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.75V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

24 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

940 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

130W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

STP26

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP26N60DM6

价格

数量: 5000

单价: $15.39812
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $15.99961
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $16.84167
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $19.96952
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $23.4584
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $28.634
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $31.88
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : TSM60NB190CZ C0G

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 3,910
单价. : ¥59.54000
替代类型. : 类似

型号 : IPP65R190C7FKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 455
单价. : ¥27.74000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R199CPXKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 659
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似

型号 : FCP170N60

制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥55.41000
替代类型. : 类似

型号 : IPP60R160P6XKSA1

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 443
单价. : ¥32.04000
替代类型. : 类似

型号 : FCP16N60N

制造商 : onsemi
库存 : 27
单价. : ¥45.23000
替代类型. : 类似

357-044-458-107 REC10-4812SRWZ/H2/A/M/SMD-R MRS1504T3G GKLA2D4S2 QVMQF326P25-2.0A-37.000

STP26N60DM6

元器件型号详细信息

技术参数

相关信息

其它名称

所属分类/目录

相关文档

价格

替代型号

相似型号