元器件型号详细信息

原厂型号
1SS187,LF
摘要
DIODE GEN PURP 80V 100MA S-MINI
详情
二极管 80 V 100mA 表面贴装型 S-Mini
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
80 V
电流 - 平均整流 (Io)
100mA
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.2 V @ 100 mA
速度
小信号 =< 200mA(Io),任意速度
反向恢复时间 (trr)
4 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 80 V
不同 Vr、F 时电容
4pF @ 0V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装
S-Mini
工作温度 - 结
125°C(最大)
基本产品编号
1SS187

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0070

其它名称

1SS187LF
264-1SS187,LFDKR
264-1SS187,LFCT
1SS187LF-ND
264-1SS187LFTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Toshiba Semiconductor and Storage 1SS187,LF

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