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元器件型号详细信息
原厂型号
TPH3206LDGB
摘要
GANFET N-CH 650V 16A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 650 V 16A（Tc） 81W（Tc） PQFN（8x8）
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
60
供应商库存
技术参数
制造商
Transphorm
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
180 毫欧 @ 11A，8V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.6V @ 500µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±18V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
760 pF @ 480 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
81W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（8x8）
封装/外壳
3-PowerDFN
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案
其它名称
TPH3206LDG
TPH3206LDG-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Transphorm TPH3206LDGB
相关文档
规格书
1(TPH3206L Series)
产品培训模块
1(GaN versus Silicon Carbide (SiC) in Power Electronics Circuit Topologies)
视频文件
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev NRND 20/May/2018)
HTML 规格书
1(TPH3206L Series)
价格
-
替代型号
型号 : TP65H150G4LSG
制造商 : Transphorm
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