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GermanyBSO330N02KGFUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO330N02KGFUMA1
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO
详情
MOSFET - 阵列 20V 5.4A 1.4W 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.4A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
30 毫欧 @ 6.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
4.9nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
730pF @ 10V
功率 - 最大值
1.4W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO330N02
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IFEINFBSO330N02KGFUMA1
BSO330N02K GINDKR-ND
BSO330N02K G-ND
2156-BSO330N02KGFUMA1-ITTR
BSO330N02KGFUMA1TR
BSO330N02KGFUMA1DKR
BSO330N02K G
BSO330N02K GINTR
SP000380284
BSO330N02K GINCT
BSO330N02KG
BSO330N02K GINDKR
BSO330N02K GINCT-ND
BSO330N02KGFUMA1CT
BSO330N02K GINTR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO330N02KGFUMA1
相关文档
规格书
1(BSO330N02K G)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Feb/2014)
价格
-
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