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GermanySTQ2LN60K3-AP
元器件型号详细信息
原厂型号
STQ2LN60K3-AP
摘要
MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
详情
通孔 N 通道 600 V 600mA（Tc） 2.5W（Tc） TO-92-3
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
SuperMESH3™
包装
剪切带（CT）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
600mA（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.5 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 50µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-92-3
封装/外壳
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线
基本产品编号
STQ2LN60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-STQ2LN60K3-APTB
497-13391-3-ND
497-13391-3
STQ2LN60K3AP
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STQ2LN60K3-AP
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规格书
1(STQ2LN60K3-AP)
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1(STQ2LN60K3-AP View All Specifications)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New molding compound 11/Jul/2019)
PCN 封装
1(Box Label Chg 28/Jul/2016)
HTML 规格书
1(STQ2LN60K3-AP)
EDA 模型
1(STQ2LN60K3-AP by Ultra Librarian)
价格
数量: 2000
单价: $1.80105
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
包装: 带盒（TB）
最小包装数量: 2000
数量: 1000
单价: $1.97531
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $2.55638
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.09
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
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