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GermanySQS840EN-T1_GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SQS840EN-T1_GE3
摘要
MOSFET N-CH 40V 12A PPAK1212-8
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 12A（Tc） 33W（Tc） PowerPAK® 1212-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
99 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
20 毫欧 @ 7.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1031 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
33W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8
基本产品编号
SQS840
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SQS840EN-T1_GE3DKR
SQS840EN-T1_GE3TR
SQS840EN-T1_GE3CT
SQS840EN-T1-GE3
SQS840EN-T1_GE3-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SQS840EN-T1_GE3
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规格书
1(SQS840EN)
HTML 规格书
1(SQS840EN)
价格
数量: 3000
单价: $2.98708
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $3.29606
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : SQS840EN-T1_BE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 6,000
单价. : ¥7.71000
替代类型. : 参数等效
库存 : 6,000
单价. : ¥7.71000
替代类型. : 参数等效