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GermanyFDP2D9N12C
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP2D9N12C
摘要
PTNG 120V N-FET TO220
详情
通孔 N 通道 120 V 18A（Ta），210A（Tc） 2.4W（Ta），333W（Tc） TO-220
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
PowerTrench®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
18A（Ta），210A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.9 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 686µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
8894 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.4W（Ta），333W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP2D9N12C
相关文档
规格书
1(FDP2D9N12C)
视频文件
1(Brushless DC Motor Control | Datasheet Preview)
环保信息
()
特色产品
1(ON Semiconductor - 30 V to 60 V Trench6 N-Channel MOSFET)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Mar/2022)
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 18/Nov/2021)
价格
-
替代型号
-