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GermanySIHS90N65E-E3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHS90N65E-E3
摘要
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详情
通孔 N 通道 650 V 87A（Tc） 625W（Tc） SUPER-247™（TO-274AA）
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
87A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
29 毫欧 @ 45A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
591 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
11826 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
625W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
SUPER-247™（TO-274AA）
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHS90
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHS90N65E-E3DKR
742-SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3TR-ND
SIHS90N65E-E3TR
SIHS90N65E-E3CT-ND
SIHS90N65E-E3CTINACTIVE
SIHS90N65E-E3DKRINACTIVE
SIHS90N65E-E3DKR-ND
SIHS90N65E-E3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHS90N65E-E3
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规格书
1(SIHS90N65E)
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1(Assembly/Obs 22/Sep/2020)
HTML 规格书
1(SIHS90N65E)
EDA 模型
1(SIHS90N65E-E3 by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : SIHS90N65E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 233
单价. : ¥163.93000
替代类型. : 直接
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