元器件型号详细信息

原厂型号
SIHS90N65E-E3
摘要
MOSFET N-CH 650V 87A SUPER247
详情
通孔 N 通道 650 V 87A(Tc) 625W(Tc) SUPER-247™(TO-274AA)
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
87A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 45A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
591 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11826 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
625W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
SUPER-247™(TO-274AA)
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
SIHS90

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SIHS90N65E-E3DKR
742-SIHS90N65E-E3
SIHS90N65E-E3TR-ND
SIHS90N65E-E3TR
SIHS90N65E-E3CT-ND
SIHS90N65E-E3CTINACTIVE
SIHS90N65E-E3DKRINACTIVE
SIHS90N65E-E3DKR-ND
SIHS90N65E-E3CT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SIHS90N65E-E3

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规格书
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1(Assembly/Obs 22/Sep/2020)
HTML 规格书
1(SIHS90N65E)
EDA 模型
1(SIHS90N65E-E3 by SnapEDA)

价格

-

替代型号

型号 : SIHS90N65E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 233
单价. : ¥163.93000
替代类型. : 直接
型号 : STW88N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥143.42000
替代类型. : 类似
型号 : SCT3022ALGC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,103
单价. : ¥421.34000
替代类型. : 类似
型号 : IPW60R031CFD7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 718
单价. : ¥105.34000
替代类型. : 类似
型号 : STW78N65M5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥150.81000
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型号 : STY100NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥221.25000
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型号 : IXFX120N65X2
制造商 : IXYS
库存 : 244
单价. : ¥197.63000
替代类型. : 类似