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GermanySIHA2N80E-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SIHA2N80E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 800V 2.8A TO220
详情
通孔 N 通道 800 V 2.8A（Tc） 29W（Tc） TO-220 整包
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
69 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
E
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.75 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
315 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
29W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220 整包
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
SIHA2
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SIHA2N80E-GE3DKRINACTIVE
SIHA2N80E-GE3DKR-ND
SIHA2N80E-GE3CT
SIHA2N80E-GE3TR
SIHA2N80E-GE3DKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3
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规格书
1(SIHA2N80E)
特色产品
1(MOSFETs in 5G)
HTML 规格书
1(SIHA2N80E)
价格
数量: 1000
单价: $6.25736
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
数量: 500
单价: $7.7785
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $9.468
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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替代型号
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