最后更新
20250412
Language
简体中文
English
Spain
Rusia
Italy
Germany
元器件资讯
库存查询
SI1426DH-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI1426DH-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 2.8A(Ta) 1W(Ta) SC-70-6
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
>>>点击查询实时库存<<<
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.8A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
75 毫欧 @ 3.6A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
3 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-70-6
封装/外壳
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
基本产品编号
SI1426
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI1426DH-T1-GE3TR
SI1426DH-T1-GE3DKR
SI1426DHT1GE3
SI1426DH-T1-GE3CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SI1426DH-T1-GE3
相关文档
规格书
1(SI1426DH)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014)
HTML 规格书
1(SI1426DH)
价格
-
替代型号
-
相似型号
1210J0160150GFR
846-024-522-104
FFSD-13-D-10.00-01-N-RW-D02-R-O
SLPIPA16BNO2
TPS76830QPWP