English
Spain
Rusia
Italy
GermanyTSM600P03CS RLG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM600P03CS RLG
摘要
MOSFET P-CHANNEL 30V 4.7A 8SOP
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 4.7A（Tc） 2.1W（Tc） 8-SOP
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
32 周
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4.7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.6 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
560 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.1W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOP
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
TSM600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM600P03CS RLGTR
TSM600P03CS RLGTR-ND
TSM600P03CS RLGDKR-ND
TSM600P03CS RLGDKR
TSM600P03CSRLGTR
TSM600P03CSRLGDKR
TSM600P03CS RLGCT-ND
TSM600P03CSRLGCT
TSM600P03CS RLGCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM600P03CS RLG
相关文档
规格书
1(TSM600P03CS)
环保信息
()
HTML 规格书
1(TSM600P03CS)
EDA 模型
1(TSM600P03CS RLG by SnapEDA)
价格
数量: 5000
单价: $3.17519
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000
数量: 1000
单价: $3.41051
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $4.31998
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $5.2294
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $6.71
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $7.47
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
替代型号
-