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20251122
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元器件资讯
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BSM100GD120DN2BOSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSM100GD120DN2BOSA1
摘要
IGBT MOD 1200V 150A 680W
详情
IGBT 模块 三相反相器 1200 V 150 A 680 W 底座安装 模块
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
托盘
Product Status
不适用于新设计
IGBT 类型
-
配置
三相反相器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
150 A
功率 - 最大值
680 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3V @ 15V,100A
电流 - 集电极截止(最大值)
2 mA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
6.5 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
无
工作温度
150°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
模块
基本产品编号
BSM100
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSM100GD120DN2
BSM100GD120DN2BOSA1-ND
448-BSM100GD120DN2BOSA1
SP000100365
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Infineon Technologies BSM100GD120DN2BOSA1
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价格
数量: 10
单价: $3298.335
包装: 托盘
最小包装数量: 10
替代型号
型号 : FS150R12KT4B9BOSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16
单价. : ¥2,567.98000
替代类型. : 类似
型号 : MWI100-12A8
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥1,799.38000
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