元器件型号详细信息

原厂型号
TP65H035WSQA
摘要
GANFET N-CH 650V 47.2A TO247-3
详情
通孔 N 通道 650 V 47.2A(Tc) 187W(Tc) TO-247-3
原厂/品牌
Transphorm
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Transphorm
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET(共源共栅氮化镓 FET)
漏源电压(Vdss)
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
47.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
41 毫欧 @ 32A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
24 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1500 pF @ 400 V
功率耗散(最大值)
187W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
TP65H035

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
加利福尼亚 65 号提案

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Transphorm TP65H035WSQA

相关文档

规格书
1(TP65H035WSQA)
特色产品
1(TP65H035WSQA Gen III AEC-Q101-Qualified GaN FET)
参考设计库
1(TDTTP4000W066B-KIT: 4kW Bridgeless Totem-pole PFC Evaluation Board)
仿真模型
1(TP65H035WS Spice Model)

价格

数量: 500
单价: $125.90202
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $138.6749
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $162.394
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $176.08
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

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