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元器件型号详细信息
原厂型号
IPL60R085P7AUMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 39A 4VSON
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 39A（Tc） 154W（Tc） PG-VSON-4
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
39A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
85 毫欧 @ 11.8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 590µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
51 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2180 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
154W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-VSON-4
封装/外壳
4-PowerTSFN
基本产品编号
IPL60R085
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
2A（4 周）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPL60R085P7
IPL60R085P7AUMA1-ND
IPL60R085P7AUMA1CT
SP001657404
IFEINFIPL60R085P7AUMA1
IPL60R085P7AUMA1DKR
IPL60R085P7AUMA1TR
2156-IPL60R085P7AUMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPL60R085P7AUMA1
相关文档
规格书
1(IPL60R085P7)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Wafer Site Add 10/Mar/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Pkg Box Chg 3/Jan/2018)
HTML 规格书
1(IPL60R085P7)
价格
数量: 3000
单价: $27.88754
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $28.96018
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.25056
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $38.1842
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
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