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GermanyBSP130,115
元器件型号详细信息
原厂型号
BSP130,115
摘要
MOSFET N-CH 300V 350MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 300 V 350mA（Ta） 1.5W（Ta） SOT-223
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Nexperia USA Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
300 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
350mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6 欧姆 @ 250mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
120 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP130 T/R-ND
568-6220-6
1727-4928-2
1727-4928-1
568-6220-2-ND
568-6220-1-ND
568-6220-6-ND
1727-4928-6
568-6220-2
BSP130 T/R
568-6220-1
934023500115
BSP130,115-ND
BSP130115
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BSP130,115
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PCN 封装
()
HTML 规格书
1(BSP130)
EDA 模型
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价格
-
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