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GermanySPP07N65C3XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
SPP07N65C3XKSA1
摘要
LOW POWER_LEGACY
详情
通孔 N 通道 650 V 7.3A（Tc） 83W（Tc） PG-TO220-3-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.3A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
600 毫欧 @ 4.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 350µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
27 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
790 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
83W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3-1
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SPP07N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-SPP07N65C3XKSA1-IT
SP000681036
INFINFSPP07N65C3XKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPP07N65C3XKSA1
相关文档
规格书
1(SPx07N65C3)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 650V C3 Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : IPP60R600P7XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥14.63000
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型号 : SPP07N60C3XKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 385
单价. : ¥23.53000
替代类型. : 参数等效
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型号 : IXFP16N60P3
制造商 : IXYS
库存 : 54
单价. : ¥45.47000
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型号 : IXTP14N60PM
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库存 : 0
单价. : ¥29.92220
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型号 : STP12N60M2
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
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单价. : ¥13.83000
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