元器件型号详细信息

原厂型号
SGB02N120ATMA1
摘要
IGBT 1200V 6.2A 62W TO263-3
详情
IGBT NPT 1200 V 6.2 A 62 W 表面贴装型 PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
IGBT 类型
NPT
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
6.2 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
9.6 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
3.6V @ 15V,2A
功率 - 最大值
62 W
开关能量
220µJ
输入类型
标准
栅极电荷
11 nC
25°C 时 Td(开/关)值
23ns/260ns
测试条件
800V,2A,91 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
基本产品编号
SGB02N

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SGB02N120DKR
SGB02N120ATMA1TR
SGB02N120TR-ND
SGB02N120-ND
2156-SGB02N120ATMA1
SGB02N120CT-ND
SGB02N120ATMA1DKR
IFEINFSGB02N120ATMA1
SGB02N120ATMA1CT
SGB02N120
SP000012558
SGB02N120CT
SGB02N120DKR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies SGB02N120ATMA1

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价格

数量: 1000
单价: $10.95457
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1000

替代型号

型号 : HGT1S10N120BNST
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥22.66000
替代类型. : 类似