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GermanyIRFZ34NSTRR
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFZ34NSTRR
摘要
MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 55 V 29A（Tc） 3.8W（Ta），68W（Tc） D2PAK
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
29A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
40 毫欧 @ 16A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
34 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.8W（Ta），68W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
相关信息
RoHS 状态
不符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFZ34NSTRR
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规格书
1(IRFZ34NS/L)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(EOL122B 02/Oct/2007)
HTML 规格书
1(IRFZ34NS/L)
价格
-
替代型号
型号 : IRFZ34NSTRLPBF
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 20
单价. : ¥14.23000
替代类型. : 参数等效
库存 : 20
单价. : ¥14.23000
替代类型. : 参数等效
型号 : PHB32N06LT,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 4,088
单价. : ¥10.89000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥10.89000
替代类型. : 类似
型号 : NDB5060L
制造商 : onsemi
库存 : 1,331
单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥22.82000
替代类型. : 类似
型号 : PSMN015-60BS,118
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 10,340
单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥10.81000
替代类型. : 类似
型号 : STB45NF06T4
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥13.83000
替代类型. : 类似