English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFHM792TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFHM792TRPBF
摘要
MOSFET 2N-CH 100V 2.3A 8PQFN
详情
MOSFET - 阵列 100V 2.3A 2.3W 表面贴装型 8-PQFN（3.3x3.3），Power33
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
100V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
195 毫欧 @ 2.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
251pF @ 25V
功率 - 最大值
2.3W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-PQFN（3.3x3.3），Power33
基本产品编号
IRFHM792
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001554848
448-IRFHM792TRPBFTR
448-IRFHM792TRPBFDKR
IRFHM792TRPBF-ND
448-IRFHM792TRPBFCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRFHM792TRPBF
相关文档
规格书
1(IRFHM792TR(2)PbF)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(IRFHM792TRPBF EOL 28/Jun/2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Label Chgs Aug/2020)
PCN 组装/来源
1(IRFHM792TR(1)PBF,62-0217PBF Site 19/Jul/2013)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 其他
1(Mult Dev Lot Code Standardization 11/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IRFHM792TR(2)PbF)
仿真模型
1(IRFHM792TR2PBF Saber Model)
价格
-
替代型号
型号 : SI7922DN-T1-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 45,035
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
库存 : 45,035
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
型号 : SI7922DN-T1-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 2,985
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似
库存 : 2,985
单价. : ¥14.07000
替代类型. : 类似