元器件型号详细信息

原厂型号
MSCM20XM10T3XG
摘要
PM-MOSFET-OTHER-SP3X
详情
MOSFET - 阵列 200V 108A(Tc) 341W(Tc) 底座安装 SP3X
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1

技术参数

制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
6 N-沟道(3 相桥)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
108A(Tc)
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
9.7 毫欧 @ 81A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
161nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
10700pF @ 50V
功率 - 最大值
341W(Tc)
工作温度
-40°C ~ 125°C(Tc)
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP3X
基本产品编号
MSCM20

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology MSCM20XM10T3XG

相关文档

规格书
1(Power Discrete, Module Portfolio)
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)

价格

数量: 1
单价: $2044.47
包装: 散装
最小包装数量: 1

替代型号

-