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GermanyMSCM20XM10T3XG
元器件型号详细信息
原厂型号
MSCM20XM10T3XG
摘要
PM-MOSFET-OTHER-SP3X
详情
MOSFET - 阵列 200V 108A（Tc） 341W（Tc） 底座安装 SP3X
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
48 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1
供应商库存
技术参数
制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
108A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
9.7 毫欧 @ 81A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
161nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10700pF @ 50V
功率 - 最大值
341W（Tc）
工作温度
-40°C ~ 125°C（Tc）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块
供应商器件封装
SP3X
基本产品编号
MSCM20
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microchip Technology MSCM20XM10T3XG
相关文档
规格书
1(Power Discrete, Module Portfolio)
环保信息
()
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
价格
数量: 1
单价: $2044.47
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
替代型号
-