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元器件型号详细信息
原厂型号
IPN80R1K4P7ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 800V 4A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 800 V 4A（Tc） 7W（Tc） PG-SOT223
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P7
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.4 欧姆 @ 1.4A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
10 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 500 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
7W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
IPN80R1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-IPN80R1K4P7ATMA1
IFEINFIPN80R1K4P7ATMA1
SP001657528
IPN80R1K4P7ATMA1DKR
IPN80R1K4P7ATMA1CT
IPN80R1K4P7ATMA1TR
IPN80R1K4P7ATMA1-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPN80R1K4P7ATMA1
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规格书
1(IPN80R1K4P7)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Pkg Mark Chg 12/Aug/2021)
HTML 规格书
1(IPN80R1K4P7)
价格
数量: 15000
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