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GermanyIPW60R190P6FKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPW60R190P6FKSA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO247-3
详情
通孔 N 通道 600 V 20.2A（Tc） 151W（Tc） PG-TO247-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
39 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
20.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
190 毫欧 @ 7.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 630µ
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
11 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1750 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
151W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-3
封装/外壳
TO-247-3
基本产品编号
IPW60R190
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPW60R190P6
INFINFIPW60R190P6FKSA1
IPW60R190P6-ND
SP001017090
2156-IPW60R190P6FKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPW60R190P6FKSA1
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规格书
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T Chgs 3/Nov/2022)
HTML 规格书
1(IPW60R190P6)
仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V P6 Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $15.11607
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $15.70655
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $16.53323
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $19.60368
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $23.0284
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $28.11
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $31.32
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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