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元器件型号详细信息
原厂型号
BSP299L6327HUSA1
摘要
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 400mA（Ta） 1.8W（Ta） PG-SOT223-4-21
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
400mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 400mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT223-4-21
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSP299L6327XT
BSP299L6327HUSA1DKR
BSP299L6327HUSA1CT
BSP299L6327
BSP299 L6327CT
BSP299 L6327
BSP299 L6327DKR-ND
2156-BSP299L6327HUSA1-ITTR
BSP299 L6327DKR
INFINFBSP299L6327HUSA1
BSP299 L6327CT-ND
BSP299L6327HUSA1TR
BSP299 L6327TR-ND
SP000089200
BSP299 L6327-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSP299L6327HUSA1
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价格
-
替代型号
-