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GermanyCY14B512I-SFXI
元器件型号详细信息
原厂型号
CY14B512I-SFXI
摘要
IC NVSRAM 512KBIT I2C 16SOIC
详情
NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 512Kb I²C 3.4 MHz 16-SOIC
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
92
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
存储器类型
非易失
存储器格式
NVSRAM
技术
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量
512Kb
存储器组织
64K x 8
存储器接口
I²C
时钟频率
3.4 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作温度
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）
供应商器件封装
16-SOIC
基本产品编号
CY14B512
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0041
其它名称
CY14B512ISFXI
2156-CY14B512I-SFXI
448-CY14B512I-SFXI
CYPCYPCY14B512I-SFXI
428-3173-ND
2015-CY14B512I-SFXI
428-3173
2832-CY14B512I-SFXI
-CY14B512I-SFXI
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Infineon Technologies CY14B512I-SFXI
相关文档
规格书
1(CY14C/B/E512I)
产品培训模块
1(NVRAM (Nonvolatile RAM) Overview)
环保信息
1(RoHS Certificate)
特色产品
1(Cypress Memory Products)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 6/Feb/2020)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Datasheet Chg 18/Dec/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Site Add 9/Sep/2020)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(CY14C/B/E512I)
Forum Discussions
1(Cypress “No Warranty” Parts)
价格
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