BUK763R9-60E,118

元器件型号详细信息

原厂型号

BUK763R9-60E,118

摘要

MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

详情

表面贴装型 N 通道 60 V 100A（Tc） 263W（Tc） D2PAK

原厂/品牌

Nexperia USA Inc.

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

800

供应商库存

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技术参数

制造商

Nexperia USA Inc.

系列

Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

100A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.9 毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 1mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

103 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

7480 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

263W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

D2PAK

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

其它名称

568-10176-2

568-10176-2-ND

568-10176-1-ND

2156-BUK763R9-60E,118-1727

568-10176-6

568-10176-1

1727-1066-6

568-10176-6-ND

934066473118

1727-1066-2

BUK763R960E118

1727-1066-1

BUK763R9-60E,118-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Nexperia USA Inc. BUK763R9-60E,118

价格

-

替代型号

型号 : IXTA200N055T2

制造商 : IXYS
库存 : 50
单价. : ¥33.63000
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型号 : FDB050AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 914
单价. : ¥20.99000
替代类型. : 类似

型号 : FDB035AN06A0

制造商 : onsemi
库存 : 6,139
单价. : ¥45.55000
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型号 : IRF1405STRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥24.41000
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型号 : N0601N-ZK-E1-AY

制造商 : Renesas Electronics America Inc
库存 : 0
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型号 : IRFS3306TRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
库存 : 15,850
单价. : ¥22.66000
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型号 : IRF2805STRLPBF

制造商 : Infineon Technologies
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GBB49DHND SXT32412DB48-25.000M RNC50H1742FSR36 MWSA1707S-150MT LXZ10VB682M16X30LL

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