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GermanyNSS60600MZ4T3G
元器件型号详细信息
原厂型号
NSS60600MZ4T3G
摘要
TRANS PNP 60V 6A SOT223
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 PNP 60 V 6 A 100MHz 800 mW 表面贴装型 SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
13 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
6 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
60 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
350mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大值）
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
120 @ 1A，2V
功率 - 最大值
800 mW
频率 - 跃迁
100MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
基本产品编号
NSS60600
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
其它名称
NSS60600MZ4T3GOSCT
NSS60600MZ4T3G-ND
NSS60600MZ4T3GOSTR
NSS60600MZ4T3GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi NSS60600MZ4T3G
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规格书
1(NSS60600MZ4T1G)
产品培训模块
1(Low Vce(sat) BJT Power Savings)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Wire Bond 01/Dec/2010)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly 27/Jul/2020)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NSS60600MZ4T1G)
EDA 模型
1(NSS60600MZ4T3G by Ultra Librarian)
价格
数量: 28000
单价: $1.4971
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 4000
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