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GermanySUP53P06-20-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SUP53P06-20-GE3
摘要
MOSFET P-CH 60V 9.2A/53A TO220AB
详情
通孔 P 通道 60 V 9.2A（Ta），53A（Tc） 3.1W（Ta），104.2W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.2A（Ta），53A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
19.5 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
115 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
3500 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），104.2W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP53
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SUP53P06-20-GE3
相关文档
规格书
1(SUP53P06-20)
EDA 模型
1(SUP53P06-20-GE3 by SnapEDA)
价格
-
替代型号
型号 : SUP53P06-20-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 参数等效
库存 : 5
单价. : ¥23.13000
替代类型. : 参数等效
型号 : SPP80P06PHXKSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 3,642
单价. : ¥31.16000
替代类型. : 类似
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