元器件型号详细信息

原厂型号
SPD35N10
摘要
MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 35A(Tc) 150W(Tc) PG-TO252-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
35A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
44 毫欧 @ 26.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
65 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1570 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
150W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
SPD35N

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SPD35N10XTINCT-ND
SP000013853
SPD35N10INTR-NDR
SPD35N10XT
SPD35N10INCT-NDR
SPD35N10INCT
SPD35N10INTR
SPD35N10XTINTR
SPD35N10XTINTR-ND
SPD35N10XTINCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies SPD35N10

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价格

-

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