English
Spain
Rusia
Italy
GermanyTSM8N50CP ROG
元器件型号详细信息
原厂型号
TSM8N50CP ROG
摘要
MOSFET N-CH 500V 7.2A TO252
详情
表面贴装型 N 通道 500 V 7.2A（Tc） 89W（Tc） TO-252，（D-Pak）
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
7.2A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
850 毫欧 @ 3.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
26.6 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1595 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252，（D-Pak）
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
TSM8N50CPROGDKR
TSM8N50CP ROGDKR
TSM8N50CPROGTR
TSM8N50CP ROGTR-ND
TSM8N50CP ROGCT-ND
TSM8N50CPROGCT
TSM8N50CP ROGTR
TSM8N50CP ROGDKR-ND
TSM8N50CP ROGCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM8N50CP ROG
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 3/Aug/2018)
价格
-
替代型号
型号 : SIHD7N60E-GE3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 165
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
库存 : 165
单价. : ¥15.98000
替代类型. : 类似
型号 : IPD50R650CEAUMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 类似
库存 : 2,500
单价. : ¥7.08000
替代类型. : 类似
型号 : SPD04N50C3ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 10,237
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
库存 : 10,237
单价. : ¥13.59000
替代类型. : 类似
型号 : IPD60R950C6ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥10.97000
替代类型. : 类似