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GermanyCSD19535KCS
元器件型号详细信息
原厂型号
CSD19535KCS
摘要
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
详情
通孔 N 通道 100 V 150A（Ta） 300W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
150A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
101 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7930 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
CSD19535
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
2156-CSD19535KCS
-296-37288-5-ND
296-37288-5
-CSD19535KCS-NDR
CSD19535KCS-ND
TEXTISCSD19535KCS
-296-37288-5
296-37288-5-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Texas Instruments CSD19535KCS
相关文档
规格书
1(CSD19535KCS)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
1(ID symbolization Change 04/Mar/2020)
PCN 组装/来源
1(CSD195 A/T Chgs 13/Dec/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev 15/Apr/2020)
制造商产品页面
1(CSD19535KCS Specifications)
EDA 模型
1(CSD19535KCS by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $13.23778
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $13.75489
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $14.47882
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.16776
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.1673
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.612
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $27.43
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
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