元器件型号详细信息

原厂型号
STP260N6F6
摘要
MOSFET N-CH 60V 120A TO220
详情
通孔 N 通道 60 V 120A(Tc) 300W(Tc) TO-220
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
DeepGATE™, STripFET™ VI
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3 毫欧 @ 60A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
183 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
11400 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
300W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
STP260

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

497-11230-5
-497-11230-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/STMicroelectronics STP260N6F6

相关文档

规格书
1(STI260N6F6, STP260N6F6)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
特色产品
1(STripFET VI DeepGATE Series Power MOSFETs)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev OBS 27/Sep/2021)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Adv Material Notice 8/Apr/2019)
PCN 组装/来源
1(New Molding Compound 13/Sep/2019)
HTML 规格书
1(STI260N6F6, STP260N6F6)
EDA 模型
()

价格

-

替代型号

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单价. : ¥13.14700
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制造商 : Diodes Incorporated
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制造商 : Infineon Technologies
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制造商 : Alpha & Omega Semiconductor Inc.
库存 : 0
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单价. : ¥39.19000
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