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元器件型号详细信息
原厂型号
IRFIBE30GPBF
摘要
MOSFET N-CH 800V 2.1A TO220-3
详情
通孔 N 通道 800 V 2.1A（Tc） 35W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
17 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.1A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3 欧姆 @ 1.3A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
78 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
35W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
基本产品编号
IRFIBE30
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix IRFIBE30GPBF
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规格书
1(IRFIBE30G)
PCN 设计/规格
1(Advisory 20/Mar/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Devices 18/Jul/2017)
HTML 规格书
1(IRFIBE30G)
EDA 模型
1(IRFIBE30GPBF by Ultra Librarian)
价格
数量: 5000
单价: $10.83276
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $11.2559
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最小包装数量: 1
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替代型号
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