SPB80P06PGATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

SPB80P06PGATMA1

摘要

MOSFET P-CH 60V 80A TO263-3

详情

表面贴装型 P 通道 60 V 80A（Tc） 340W（Tc） PG-TO263-3-2

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

48 周

EDA/CAD 模型

标准包装

1,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

SIPMOS®

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

P 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

80A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

23 毫欧 @ 64A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 5.5mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

173 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

5033 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

340W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TO263-3-2

封装/外壳

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号

SPB80P06

其它名称

SP000096088

SPB80P06P G-ND

SPB80P06PGATMA1CT

SPB80P06PGXT

SPB80P06PGINDKR-ND

SPB80P06PGINCT

SPB80P06P G

SPB80P06PG

SPB80P06PGINDKR

SPB80P06PGATMA1DKR

SPB80P06PGATMA1TR

SPB80P06PGINDKRINACTIVE

SPB80P06PGINCT-ND

SPB80P06PGINTR

SPB80P06PGINTR-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies SPB80P06PGATMA1

价格

数量: 2000

单价: $17.92465
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 1000

单价: $18.86802
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000

数量: 500

单价: $22.37204
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $26.2805
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $32.077
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $35.69
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $22.37204
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $26.2805
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $32.077
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $35.69
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CPS22-LA00A10-SNCSNCNF-RI0YWVAR-W1068-S CPS22-LA00A10-SNCCWTNF-AI0CMVAR-W1032-S 24UL1007SLDGRA250 HPS-100 SG73P1EWTTP365G

SPB80P06PGATMA1

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