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元器件型号详细信息
原厂型号
RJP65T54DPM-E0#T2
摘要
IGBT TRENCH TO-3FP
详情
IGBT 沟道 650 V 60 A 63.5 W 通孔 TO-3PF
原厂/品牌
Renesas Electronics America Inc
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Renesas Electronics America Inc
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
225 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.68V @ 15V，30A
功率 - 最大值
63.5 W
开关能量
330µJ（开），760µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
72 nC
25°C 时 Td（开/关）值
35ns/120ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
工作温度
175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PF
基本产品编号
RJP65T54
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Renesas Electronics America Inc RJP65T54DPM-E0#T2
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价格
-
替代型号
型号 : RGW60TK65GVC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 450
单价. : ¥46.90000
替代类型. : 类似
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