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GermanyUGB18DCT-E3/81
元器件型号详细信息
原厂型号
UGB18DCT-E3/81
摘要
DIODE ARRAY GP 200V 18A TO263AB
详情
二极管阵列 1 对共阴极 200 V 18A 表面贴装型 TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
二极管配置
1 对共阴极
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）
200 V
电流 - 平均整流 (Io)（每二极管）
18A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 9 A
速度
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
反向恢复时间 (trr)
30 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
10 µA @ 200 V
工作温度 - 结
-65°C ~ 150°C
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
TO-263AB（D²PAK）
基本产品编号
UGB18
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080
其它名称
UGB18DCT-E3/81GIDKR
UGB18DCT-E3/81-ND
UGB18DCT-E3/81GITR
UGB18DCT-E3/81GICT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/二极管阵列/Vishay General Semiconductor - Diodes Division UGB18DCT-E3/81
相关文档
规格书
1(UG(F,B)18ACT thru UG(F,B)18DCT)
视频文件
1(Functions & Parameters of the “Simplest” Semiconductor)
PCN 产品变更/停产
1(EOL NOTICE 23/Aug/2022)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 31/Aug/2018)
HTML 规格书
1(UG(F,B)18ACT thru UG(F,B)18DCT)
价格
-
替代型号
型号 : MURB1620CTT4G
制造商 : onsemi
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型号 : SBR10200CTB-13-G
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 581
单价. : ¥7.08000
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