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GermanyIRFH5302TRPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFH5302TRPBF
摘要
MOSFET N-CH 30V 32A/100A PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 32A（Ta），100A（Tc） 3.6W（Ta），100W（Tc） PQFN（5x6）单芯片焊盘
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
32A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.1 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.35V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
76 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4400 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.6W（Ta），100W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PQFN（5x6）单芯片焊盘
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRFH5302
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRFH5302TRPBFDKR
SP001575636
IRFH5302TRPBFCT
IRFH5302TRPBFTR
2156-IRFH5302TRPBF
IRFH5302TRPBF-ND
INFINFIRFH5302TRPBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH5302TRPBF
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1(Back End Processing Transfer 19/Aug/2016)
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1(IRFH5302PBF)
仿真模型
1(IRFH5302TR2PBF Saber Model)
价格
数量: 12000
单价: $3.7952
包装: 卷带（TR）
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