元器件型号详细信息

原厂型号
NTDV20P06LT4G
摘要
MOSFET P-CH 60V 15.5A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 15.5A(Ta) 65W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
15.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 7.5A,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
26 nC @ 5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1190 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
65W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NTDV20

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTDV20P06LT4G-ND
NTDV20P06LT4G-VF01OSTR
NTDV20P06LT4GOSDKR
2156-NTDV20P06LT4G-OS
NTDV20P06LT4G-VF01OSCT-ND
NTDV20P06LT4G-VF01
NTDV20P06LT4G-VF01OSTR-ND
NTDV20P06LT4G-VF01-ND
NTDV20P06LT4GOSTR
NTDV20P06LT4G-VF01OSDKR
ONSONSNTDV20P06LT4G
NTDV20P06LT4G-VF01OSDKR-ND
NTDV20P06LT4GOSCT
NTDV20P06LT4G-VF01OSCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTDV20P06LT4G

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PCN 组装/来源
1(Mold Compound 16/Aug/2018)
HTML 规格书
1(NTD20P06L)
EDA 模型
1(NTDV20P06LT4G by Ultra Librarian)

价格

-

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