元器件型号详细信息

原厂型号
IRL80HS120
摘要
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 80 V 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
40 周
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
-
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
12.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
32 毫欧 @ 7.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 10µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
7 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
540 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
11.5W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
6-PQFN(2x2)
封装/外壳
6-VDFN 裸露焊盘
基本产品编号
IRL80HS120

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SP001592838
IRL80HS120TR
IRL80HS120CT
IRL80HS120DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies IRL80HS120

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PCN 封装
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HTML 规格书
1(IRL80HS120)
仿真模型
1(IRL80HS120 Saber Model)

价格

数量: 12000
单价: $3.60287
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 8000
单价: $3.74361
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 4000
单价: $3.94065
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 2000
单价: $3.94065
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $4.22211
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.3
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 2000
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最小包装数量: 1
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数量: 100
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