元器件型号详细信息

原厂型号
SI2304DS,215
摘要
MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 1.7A(Tc) 830mW(Tc) TO-236AB
原厂/品牌
Nexperia USA Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Nexperia USA Inc.
系列
TrenchMOS™
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.7A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
117 毫欧 @ 500mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
4.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
195 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
830mW(Tc)
工作温度
-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-236AB
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

其它名称

SI2304DS T/R
SI2304DS T/R-ND
SI2304DS,215-ND
568-5957-2
568-5957-1
568-5957-6
934056633215

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Nexperia USA Inc. SI2304DS,215

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价格

-

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