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GermanyFDP86363-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FDP86363-F085
摘要
MOSFET N-CH 80V 110A TO220-3
详情
通孔 N 通道 80 V 110A（Tc） 300W（Tc） TO-220-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
51 周
EDA/CAD 模型
标准包装
400
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
110A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.8 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
150 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
10000 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
300W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
FDP86363
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDP86363_F085-ND
FDP86363_F085
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDP86363-F085
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规格书
1(FDP86363-F085)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Cancellation 19/Oct/2021)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FDP86363-F085)
EDA 模型
1(FDP86363-F085 by Ultra Librarian)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
数量: 5000
单价: $13.48951
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
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