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GermanyFDS6673BZ-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FDS6673BZ-F085
摘要
MOSFET P-CH 30V 14.5A 8SOIC
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 14.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SOIC
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.8 毫欧 @ 14.5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
124 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4700 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-SOIC
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
基本产品编号
FDS66
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSFDS6673BZ-F085
FDS6673BZ-F085TR
FDS6673BZ_F085TR-ND
FDS6673BZ_F085CT-ND
2156-FDS6673BZ-F085-OS
FDS6673BZ_F085CT
FDS6673BZ_F085DKR-ND
FDS6673BZ-F085CT
FDS6673BZ_F085-ND
FDS6673BZ_F085TR
FDS6673BZ-F085DKR
FDS6673BZ_F085DKR
FDS6673BZ_F085
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDS6673BZ-F085
相关文档
规格书
1(FDS6673BZ-F085)
视频文件
1(Driving Automotive Technology)
环保信息
()
特色产品
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 24/Jul/2019)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
()
PCN 零件编号
1(Mult Device Part Number Chg 30/May/2017)
HTML 规格书
1(FDS6673BZ-F085)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
-
替代型号
型号 : IPZ40N04S55R4ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
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