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GermanyBSS192PE6327
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS192PE6327
摘要
MOSFET P-CH 250V 190MA SOT89
详情
表面贴装型 P 通道 250 V 190mA（Ta） 1W（Ta） PG-SOT89
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
250 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
2.8V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
12 欧姆 @ 190mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
6.1 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
104 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT89
封装/外壳
TO-243AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSS192PE6327INTR
BSS192PE6327INCT
INFINFBSS192PE6327
2156-BSS192PE6327-ITTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSS192PE6327
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规格书
1(BSS192P)
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特色产品
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PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 28/Mar/2008)
HTML 规格书
1(BSS192P)
价格
-
替代型号
型号 : BSS192PH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 参数等效
型号 : BSS192PH6327FTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 25,000
单价. : ¥5.17000
替代类型. : 参数等效
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单价. : ¥5.17000
替代类型. : 参数等效
型号 : BSS192,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 41,924
单价. : ¥4.61000
替代类型. : 类似
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