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GermanyBSO051N03MS G
元器件型号详细信息
原厂型号
BSO051N03MS G
摘要
MOSFET N-CH 30V 14A 8DSO
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 14A（Ta） 1.56W（Ta） PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
5.1 毫欧 @ 18A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.56W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-8
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSO051N03MS GINTR-ND
BSO051N03MSGINDKR
BSO051N03MSGXUMA1
BSO051N03MSG
SP000446068
BSO051N03MS GINDKR-ND
BSO051N03MS GINTR
BSO051N03MSGINTR
BSO051N03MS G-ND
BSO051N03MS GINCT
BSO051N03MSGINCT
BSO051N03MS GINDKR
BSO051N03MS GINCT-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSO051N03MS G
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1(BSO051N03MS G)
价格
数量: 1000
单价: $2.90752
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : BSO040N03MSGXUMA1
制造商 : Infineon Technologies
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替代类型. : 直接
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制造商 : Vishay Siliconix
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