元器件型号详细信息

原厂型号
NVTFS5116PLWFTAG
摘要
MOSFET P-CH 60V 6A 8WDFN
详情
表面贴装型 P 通道 60 V 6A(Ta) 3.2W(Ta),21W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
71 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
Product Status
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
52 毫欧 @ 7A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
25 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1258 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),21W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-WDFN(3.3x3.3)
封装/外壳
8-PowerWDFN
基本产品编号
NVTFS5116

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NVTFS5116PLWFTAGOSTR
NVTFS5116PLWFTAGOSDKR
NVTFS5116PLWFTAG-ND
NVTFS5116PLWFTAGOSCT
NVTFS5116PLWFTAGOSDKR-ND
NVTFS5116PLWFTAGOSCT-ND
NVTFS5116PLWFTAGOSTR-ND
488-NVTFS5116PLWFTAGCT
488-NVTFS5116PLWFTAGTR
488-NVTFS5116PLWFTAGDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVTFS5116PLWFTAG

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规格书
1(NVTFS5116PL)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Process 30/Sep/2022)
EDA 模型
1(NVTFS5116PLWFTAG by Ultra Librarian)

价格

数量: 10500
单价: $4.65955
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 7500
单价: $4.84156
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 3000
单价: $5.09637
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
数量: 1500
单价: $5.46041
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 1500
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
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最小包装数量: 1
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包装: 剪切带(CT)
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最小包装数量: 1
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数量: 10
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

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