元器件型号详细信息

原厂型号
CSD18532Q5BT
摘要
MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 100A(Ta) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-VSONP(5x6)
原厂/品牌
Texas Instruments
原厂到货时间
6 周
EDA/CAD 模型
标准包装
250

技术参数

制造商
Texas Instruments
系列
NexFET™
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
3.2 毫欧 @ 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
58 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
5070 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),156W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-VSONP(5x6)
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
CSD18532

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

296-46414-6
296-46414-2
CSD18532Q5BT-ND
296-46414-1

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Texas Instruments CSD18532Q5BT

相关文档

规格书
1(CSD18532Q5B)
特色产品
1(Power Management)
PCN 设计/规格
1(Qualification Revision A 01/Jul/2014)
PCN 组装/来源
1(VSON Additional Assembly Site 28/Oct/2013)
制造商产品页面
1(CSD18532Q5BT Specifications)
HTML 规格书
1(CSD18532Q5B)
EDA 模型
1(CSD18532Q5BT by Ultra Librarian)

价格

数量: 6250
单价: $10.35244
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 2500
单价: $10.75062
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 1250
单价: $11.54694
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 500
单价: $13.93602
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 250
单价: $15.92684
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 250
数量: 100
单价: $16.9619
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.107
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.53
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $16.9619
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $21.107
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $23.53
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : CSD18532Q5B
制造商 : Texas Instruments
库存 : 4,525
单价. : ¥19.72000
替代类型. : 参数等效