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GermanySSM3J120TU,LF
元器件型号详细信息
原厂型号
SSM3J120TU,LF
摘要
MOSFET P-CH 20V 4A UFM
详情
表面贴装型 P 通道 20 V 4A（Ta） 500mW（Ta） UFM
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
U-MOSIV
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
38 毫欧 @ 3A，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
22.3 nC @ 4 V
Vgs（最大值）
±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1484 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
UFM
封装/外壳
3-SMD，扁平引线
基本产品编号
SSM3J120
相关信息
RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
SSM3J120TULFTR
SSM3J120TU(T5L,T)
SSM3J120TU(TE85L)TR
SSM3J120TU(T5LT)DKR
SSM3J120TU (T5L,T)
SSM3J120TULFDKR
SSM3J120TU,LF(T
SSM3J120TU(TE85L)DKR
SSM3J120TU(T5LT)CT-ND
SSM3J120TU(TE85L)DKR-ND
SSM3J120TU(T5LT)TR
SSM3J120TU(TE85L)TR-ND
SSM3J120TU(T5LT)TR-ND
SSM3J120TU(T5LT)DKR-ND
SSM3J120TUT5LT
SSM3J120TULFCT
SSM3J120TU,LF(B
SSM3J120TU(TE85L)CT-ND
SSM3J120TU(T5LT)CT
SSM3J120TU(TE85L)CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J120TU,LF
相关文档
规格书
()
特色产品
1(Server Solutions)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 01/Jul/2014)
PCN 封装
1(Marking Chg 08/Feb/2016)
HTML 规格书
1(Mosfets Prod Guide)
EDA 模型
1(SSM3J120TU by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : SSM3J133TU,LF
制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 66,337
单价. : ¥3.66000
替代类型. : 类似
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单价. : ¥3.66000
替代类型. : 类似
型号 : PMPB33XP,115
制造商 : Nexperia USA Inc.
库存 : 9,000
单价. : ¥4.05000
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单价. : ¥4.05000
替代类型. : 类似