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GermanyIRLR3717PBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRLR3717PBF
摘要
MOSFET N-CH 20V 120A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 120A（Tc） 89W（Tc） D-Pak
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
Product Status
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 毫欧 @ 15A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.45V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
31 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2830 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
89W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D-Pak
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001568638
2156-IRLR3717PBF
*IRLR3717PBF
INFINFIRLR3717PBF
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRLR3717PBF
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规格书
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1(Part Number Guide)
产品培训模块
()
设计资源
1(IRLR3717PBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 组装/来源
1(Warehouse Transfer 29/Jul/2015)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
PCN 零件状态变更
1(Mult Dev Tube Pkg Disc 12/Jun/2018)
HTML 规格书
1(IRLR3717PbF, IRLU3717PbF)
仿真模型
1(IRLR3717PBF Spice Model)
价格
-
替代型号
型号 : STB200NF03T4
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型号 : STD17NF03LT4
制造商 : STMicroelectronics
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单价. : ¥8.19000
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