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元器件型号详细信息
原厂型号
AONP36336
摘要
30V DUAL ASYMMETRIC N-CHANNEL MO
详情
MOSFET - 阵列 30V 50A（Tc） 3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc） 表面贴装型 8-DFN-EP（3.3x3.3）
原厂/品牌
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
原厂到货时间
16 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
在售
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N 沟道（双）非对称型
FET 功能
-
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
50A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.9V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
29nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1330pF @ 15V
功率 - 最大值
3.4W（Ta），33W（Tc），3.1W（Ta），30W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerVDFN
供应商器件封装
8-DFN-EP（3.3x3.3）
基本产品编号
AONP363
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
785-AONP36336CT
785-AONP36336DKR
785-AONP36336TR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Alpha & Omega Semiconductor Inc. AONP36336
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环保信息
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价格
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包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
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