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GermanyTPCF8201(TE85L,F,M
元器件型号详细信息
原厂型号
TPCF8201(TE85L,F,M
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 3A VS-8
详情
MOSFET - 阵列 20V 3A 330mW 表面贴装型 VS-8（2.9x1.5）
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
49 毫欧 @ 1.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.2V @ 200µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7.5nC @ 5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
590pF @ 10V
功率 - 最大值
330mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SMD，扁平引线
供应商器件封装
VS-8（2.9x1.5）
基本产品编号
TPCF8201
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
TPCF8201TR-NDR
TPCF8201(TE85LFMCT
TPCF8201FCT-ND
TPCF8201FTR-ND
TPCF8201FTR
TPCF8201(TE85LFMDKR
TPCF8201(TE85L,F)
TPCF8201(TE85LFMTR
TPCF8201FCT
TPCF8201FDKR
TPCF8201FDKR-ND
TPCF8201TE85LFM
TPCF8201CT-NDR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Toshiba Semiconductor and Storage TPCF8201(TE85L,F,M
相关文档
规格书
()
PCN 产品变更/停产
1(EOL 08/Nov/2013)
HTML 规格书
()
EDA 模型
1(tpcf8201(te85l by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-